一种双向变掺杂终端倒角区设计方法技术

本发明专利技术提供一种易于设计、电压适用范围广、具有高面积利用率和可靠性的双向变掺杂终端倒角区设计方法。相比传统VLD终端结构，VTD终端在获得相同耐压的基础上节省了终端区域面积，或在相同终端面积条件下可获得更高耐压。此外，VTD终端受氧化层电荷影响更小，能够有效减小高温漏电从而提高器件的可靠性。除了上述优点外，VTD倒角区不仅能够实现有平行区相同的杂质分布，还能引入比VLD终端倒角区更多的杂质总量，减小倒角区曲率效应的影响，提高终端的耐压能力。该设计的实现无需增加额外工艺步骤且实现简单，具有良好的实用价值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于功率半导体器件，涉及一种双向变掺杂终端倒角区设计方法。

技术介绍

1、功率半导体器件主要由元胞区和终端区两部分组成，终端结构的设计对功率器件的击穿电压特性至关重要。场板+场限环是最常用的终端结构，但随着器件耐压的增加，当场限环个数增加到一定程度后，对击穿电压的提高效果不再明显，且浪费了大量的芯片面积，增加了生产成本。文献stengl r，gosele u.variation of lateral doping-a newconcept to avoid high voltage breakdown of planar junctions，proceedings ofinternational electron devices meeting，1985等提出的横向变掺杂(variablelateral doping，vld)终端结构，大大减小了终端长度与芯片面积，提高了耐压效率，降低了成产成本，并逐渐被广泛用于功率mosfet等器件。横向变掺杂(variation of lateraldoping，vld)终端是中、高压功率器件中最常见的终端设本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种双向变掺杂终端倒角区设计方法，其特征在于包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种双向变掺杂终端设计方法，其特征在于，步骤(3)进一步为：实现传统VLD终端倒角区的掩膜版方式为将终端总长度分为N段，每段长度为LVLD/N，第n段掩模版的开窗宽度为an，该区域内实现杂质的注入；遮蔽区宽度为bn，二者满足an+bn＝LVLD/N；根据光刻精度实际工艺条件选取终端分割的段数N，VLD终端掩膜版的设置仅仅对径向上第n段的开窗大小an和遮蔽区宽度为bn进行了规定；

3.根据权利要求1所述的一种双向变掺杂终端设计方法，其特征在于，步骤(4)进一步为：选择VTD终端遮...

【技术特征摘要】

1.一种双向变掺杂终端倒角区设计方法，其特征在于包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种双向变掺杂终端设计方法，其特征在于，步骤(3)进一步为：实现传统vld终端倒角区的掩膜版方式为将终端总长度分为n段，每段长度为lvld/n，第n段掩模版的开窗宽度为an，该区域内实现杂质的注入；遮蔽区宽度为bn，二者满足an+bn＝lvld/n；根据光刻精度实际工艺条件选取终端分割的段数n，vld终端掩膜版的设置仅仅对径向上第n段的开窗大小an和遮蔽区宽度为bn进行了规定；

3.根据权利要求1所述的一种双向变掺杂终端设计方法，其特征在于，步骤(4)进一步为：选择vtd终端遮蔽区方案，构建vtd终端倒角区模块并分段划分为单元；vld终端的耐压取决于注入杂质的总量，引入vtd终端的设计方法，在比传统vld终端更短的长...

【专利技术属性】
技术研发人员：任敏，郭霄，刘思为，皮蒙，周子怡，李泽宏，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：