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一种氮化物基半导体器件(1A)，包括第一III‑V氮化物基半导体层，第二III‑V氮化物基半导体层，栅介电层(16)和栅极(40)。第二III‑V氮化物基半导体层设置在第一III‑V氮化物基半导体层上，并且具有比第一III‑V氮化物基半导体...
该专利属于英诺赛科（苏州）半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英诺赛科（苏州）半导体有限公司授权不得商用。

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