【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
一般地，本专利技术涉及氮化物基半导体器件。更具体地，本专利技术涉及具有曲线轮廓的栅极的氮化物基半导体器件。
技术介绍
1、近年来，对高电子迁移率晶体管(hemt)的研究越来越盛行，特别是对于高功率开关和高频应用。iii族氮化物基hemt利用具有不同带隙的两种材料之间的异质结界面以形成量子阱状结构，其容纳二维电子气(2deg)区域，以满足高功率/频率器件的需求。除了hemt之外，具有异质结构的器件的例子还包括异质结双极晶体管(hbt)，异质结场效应晶体管(hfet)和调制掺杂fet(modfet)。
技术实现思路
1、在一个方面，本专利技术提供了一种氮化物基半导体器件。该氮化物基半导体器件包括第一iii-v氮化物基半导体层，第二iii-v氮化物基半导体层，栅介电层和栅极。第二iii-v氮化物基半导体层设置在第一iii-v氮化物基半导体层上，并且具有比第一iii-v氮化物基半导体层大的带隙。栅介电层设置在第二iii-v氮化物基半导体层上。栅极设置在栅介电层上，并包括第一部分和第一部分。第一部分...
【技术保护点】
1.一种氮化物基半导体器件，包括：
2.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中所述第二部分具有圆角。
3.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中所述第一部分与所述第二部分之间的连接为圆形轮廓。
4.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中所述第一部分具有比所述栅极与所述栅介电层之间的接触宽度大的宽度。
5.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中所述第一部分和所述第二部分共同形成弯曲侧壁。
6.根据前述权利要求中任一权利要求所...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种氮化物基半导体器件，包括：
2.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中所述第二部分具有圆角。
3.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中所述第一部分与所述第二部分之间的连接为圆形轮廓。
4.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中所述第一部分具有比所述栅极与所述栅介电层之间的接触宽度大的宽度。
5.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中所述第一部分和所述第二部分共同形成弯曲侧壁。
6.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中所述栅介电层和所述弯曲侧壁之间的垂直距离逐渐增加。
7.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中所述第一部分和所述第二部分共同形成波浪形侧壁。
8.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中所述栅介电层和所述弯曲侧壁之间的垂直距离逐渐增加。
9.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，还包括设置在所述栅介电层上的钝化层，其中所述栅极穿透所述钝化层。
10.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中所述钝化层与所述栅极形成弯曲界面。
11.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中所述钝化层与所述栅极形成波浪形界面。
12.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中所述钝化层包括具有不恒定斜率的内侧壁。
13.根据前述...
【专利技术属性】
技术研发人员：张忠宇，胡凯，何惠欣，郭海波，
申请(专利权)人：英诺赛科苏州半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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