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本发明提供一种半导体装置及其形成方法，其中，半导体装置包括基板；基板上的沟道层；沟道层上的阻挡层；设置于阻挡层上的源极结构，包含水平源极部分及垂直源极部分；设置于阻挡层上的漏极结构，包含水平漏极部分及垂直漏极部分，其中垂直源极部分的尖端源极...
该专利属于新唐科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过新唐科技股份有限公司授权不得商用。

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