半导体装置及其形成方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置及其形成方法，其中，半导体装置包括基板；基板上的沟道层；沟道层上的阻挡层；设置于阻挡层上的源极结构，包含水平源极部分及垂直源极部分；设置于阻挡层上的漏极结构，包含水平漏极部分及垂直漏极部分，其中垂直源极部分的尖端源极部分指向水平漏极部分，而垂直漏极部分的尖端漏极部分指向水平源极部分；设置于阻挡层上的栅极结构，包含设置于尖端漏极部分与水平源极部分间的第一栅极部分和设置于垂直漏极部分与垂直源极部分间的第二栅极部分；以及设置于阻挡层上方的阻挡结构，其中阻挡结构介于尖端漏极部分与第一栅极部分间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种半导体装置，特别是有关于在漏极尖端与栅极结构间设置阻挡结构以抑制热载流子的半导体装置。

技术介绍

1、随着半导体技术的发展，市场已不再满足于传统的硅晶体管。在高功率应用与高频应用上，三五族的化合物半导体已展现出取代硅晶体管的潜力。近年来，由氮化镓(gan)所制造的高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,hemt)特别受到瞩目。

2、在操作现行的gan hemt时，漏极结构的垂直部分(俗称手指(finger))的尖端部分(俗称指尖(fingertip))，会因为具有较高的电场而产生较多的热载流子(hot carrier)。一旦操作时间拉长，累积的热载流子将会使hemt装置的性能降级(degrade)，甚或是破坏hemt装置。因此，需要一种新颖的hemt结构，用以防止漏极结构的尖端部分累积热载流子，以避免对hemt装置造成伤害。

技术实现思路

1、本专利技术实施例提供一种半导体装置，包括基板；设置于基板上方的沟道层；设置于沟道层上方本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1的半导体装置，其特征在于，上述阻挡结构包括设置于上述阻挡层上方的一p型氮化镓层，以及设置于上述p型氮化镓层上方的一金属层。

3.如权利要求1的半导体装置，其特征在于，更包括一阻挡凹槽，上述阻挡凹槽设置于上述阻挡层中，且上述阻挡结构设置于上述阻挡凹槽中。

4.如权利要求1的半导体装置，其特征在于，更包括一栅极凹槽，上述栅极凹槽设置于上述阻挡层中，且上述栅极结构设置于上述栅极凹槽中。

5.如权利要求1的半导体装置，其特征在于，上述第一栅极部分呈弧形，且上述阻挡结构同样呈弧形，并且上述阻挡结...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1的半导体装置，其特征在于，上述阻挡结构包括设置于上述阻挡层上方的一p型氮化镓层，以及设置于上述p型氮化镓层上方的一金属层。

3.如权利要求1的半导体装置，其特征在于，更包括一阻挡凹槽，上述阻挡凹槽设置于上述阻挡层中，且上述阻挡结构设置于上述阻挡凹槽中。

4.如权利要求1的半导体装置，其特征在于，更包括一栅极凹槽，上述栅极凹槽设置于上述阻挡层中，且上述栅极结构设置于上述栅极凹槽中。

5.如权利要求1的半导体装置，其特征在于，上述第一栅极部分呈弧形，且上述阻挡结构同样呈弧形，并且上述阻挡结构与上述第一栅极部分之间的一第一距离，小于上述阻挡结构与上述尖端漏极部分之间的一第二距离。

6.如权利要求1的半导体装置，其特征在于，更包括一连接结构，上述连接结构将上述阻挡结构连接至上述源极结构。

7.如权利要求1的半导体装置，其特征在于，更...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈柏安，
申请(专利权)人：新唐科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：