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本申请公开了一种在Si(111)衬底上生长AlGaN外延薄膜的方法，所述方法包括以下步骤：S100、获取Si衬底，以(111)面为外延面进行Al化预处理，S200、在Al化预处理后得到的Al原子层上沉积AlN成核层，S300、在所述AlN成...
该专利属于北京中博芯半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京中博芯半导体科技有限公司授权不得商用。

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