【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其涉及一种在si(111)衬底上生长algan外延薄膜的方法。
技术介绍
1、algan基深紫外(duv)发光二极管(led)在杀菌、空气/水净化以及公共安全等方面有着巨大的应用，提高其电光转换效率是提高其应用规模的关键。近年来，随着材料和器件研究的不断深入，光提取效率低已成为提高algan基duv-led性能提升的瓶颈。其中，一个有效的方式是去除衬底后进行微纳化结构优化，大幅增强光出射效率，但由于蓝宝石衬底上的aln极难通过激光剥离而分离且良率极低，而硅衬底由于其价格低廉、导电导热性能优异以及大尺寸等优势，更重要的是十分容易通过化学腐蚀手段去除，是一种非常有潜力的用来制备高性能algan基duv-led的衬底材料。
2、然而，由于硅衬底和iii族氮化物材料之间的热失配大，在薄膜生长结束降温的过程中会引入巨大的张应力，巨大的张应力会导致外延薄膜最终开裂而失效，而高质量、无裂纹的高al组分algan的制备是实现器件结构和进行器件研制的前提。因此，硅衬底上外延高al组分algan薄膜所面临的薄膜开裂问题，已经...
【技术保护点】
1.一种在Si(111)衬底上生长AlGaN外延薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤S300中，以摩尔流量比为(300～600):1通入氨气和铝源，在1100℃～1150℃、40mbar～120mbar条件下，在所述AlN成核层上生长厚度为350nm～700nm的高温AlN层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，以摩尔流量比为(400～500):1通入氨气和铝源，在1120℃～1140℃、80mbar～100mbar条件下，在所述AlN成核层上生长厚度为350nm～450nm的
【技术特征摘要】
1.一种在si(111)衬底上生长algan外延薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤s300中，以摩尔流量比为(300～600):1通入氨气和铝源，在1100℃～1150℃、40mbar～120mbar条件下，在所述aln成核层上生长厚度为350nm～700nm的高温aln层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，以摩尔流量比为(400～500):1通入氨气和铝源，在1120℃～1140℃、80mbar～100mbar条件下，在所述aln成核层上生长厚度为350nm～450nm的高温aln层。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤200中，以摩尔流量比为(1000～1300):1通入氨气和铝源，在900℃～1000℃、40mbar～120mbar条件下，在所述al原子层上沉积aln成核层，沉积时间为100s～200s。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤400中，以铝源的摩尔量相...
【专利技术属性】
技术研发人员：许福军，沈波，杨学林，秦志新，康香宁，张立胜，
申请(专利权)人：北京中博芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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