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本发明提供一种半导体器件和制造半导体器件的方法。该制造半导体器件的方法能降低半导体器件的材料成本和制造成本，该方法包括：形成硅金属陶瓷膜；形成保护硅金属陶瓷膜的保护膜；通过等离子体蚀刻保护膜来制造接触孔。在该方法中，用于检测等离子体蚀刻终点...
该专利属于恩益禧电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过恩益禧电子股份有限公司授权不得商用。

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