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本发明公开了一种实时调控外延层生长应力的方法，在外延生长过程中，外延薄膜的curvature的变化与外延薄膜的厚度以及应力有紧密的关系，在InP衬底上生长若干不同应力的200nm四元InGaAsP合金，通过生长过程中调取薄膜应力监控软件cu...
该专利属于南京镭芯光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京镭芯光电有限公司授权不得商用。

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