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本发明涉及半导体材料结构技术领域，具体涉及一种光电材料调制器及其制作方法。该光电材料调制器，包括衬底、制作在衬底上的脊形波导、制作在脊形波导上的缓冲层以及制作在缓冲层上的电极，所述脊形波导由压电材料制备而成，还包括电荷泄放通道，所述电荷泄放...
该专利属于湖北九峰山实验室所有，仅供学习研究参考，未经过湖北九峰山实验室授权不得商用。

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