【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体材料结构，具体涉及一种光电材料调制器及其制作方法。
技术介绍
1、电光调制器是光通信系统和微波光子系统的核心器件，通过外加电场引起材料折射率的变化来调控自由空间或光波导中传播的光。现有技术中，为了通过外加电场引起材料折射率的变化来调控自由空间或光波导中传播的光，会在薄膜铌酸锂(简称tfln)和钽酸锂脊型波导调制器结构的两侧肩部设置电极，一般为金或其它金属材料的复合金属层。
2、铌酸锂波导顶层的电极，如果直接全部和铌酸锂接触，会产生金属的光学吸收损耗。如果在薄膜铌酸锂与电极金属板之间间隔一个氧化硅缓冲层的话，除了衬底寄生电容，顶上也会寄生一个电容，容易产生铌酸锂调制器性能的直流偏置点漂移问题，即直流dc相位漂移现象，导致半波电压vpil随dc电流偏置和频率变化的漂移。但从光电调制器和通讯芯片的系统综合性能上看，金属的光学吸收损耗影响比较重要，因此，一般产业化薄膜光电调制器倾向于采用间隔一个氧化硅层的电极设置方式。
3、因此，如何设计一种既能防止金属电极对tfln波导中光的损耗，又能降低dc漂移的...
【技术保护点】
1.一种光电材料调制器，包括衬底、制作在衬底上的脊形波导、制作在脊形波导上的缓冲层以及制作在缓冲层上的电极，所述脊形波导由压电材料制备而成，其特征在于，还包括电荷泄放通道，所述电荷泄放通道用于将DC偏置下在压电材料和缓冲层中的自由移动电荷及时抽取走或复合掉，避免形成累积。
2.根据权利要求1所述的光电材料调制器，其特征在于，所述电荷泄放通道为刻蚀在电极下方的缓冲层中的多个离散点状接触孔隙，且远离脊形波导脊部。
3.根据权利要求2所述的光电材料调制器，其特征在于，单个所述接触孔隙的大小小于0.5μm*0.5μm。
4.根据权利要求2所...
【技术特征摘要】
1.一种光电材料调制器，包括衬底、制作在衬底上的脊形波导、制作在脊形波导上的缓冲层以及制作在缓冲层上的电极，所述脊形波导由压电材料制备而成，其特征在于，还包括电荷泄放通道，所述电荷泄放通道用于将dc偏置下在压电材料和缓冲层中的自由移动电荷及时抽取走或复合掉，避免形成累积。
2.根据权利要求1所述的光电材料调制器，其特征在于，所述电荷泄放通道为刻蚀在电极下方的缓冲层中的多个离散点状接触孔隙，且远离脊形波导脊部。
3.根据权利要求2所述的光电材料调制器，其特征在于，单个所述接触孔隙的大小小于0.5μm*0.5μm。
4.根据权利要求2所述的光电材料调制器，其特征在于，所述接触孔隙中填充高阻抗材料或电极金属层。
5.根据权利要求1所述的光电材料调制器，其特征在于，所述衬底上制作有...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。