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本技术涉及半导体芯片制造技术领域，尤其涉及一种FIB比对分析载物台，包括基座，所述基座上设有平面样品放置结构和截面样品放置结构，所述平面样品放置结构包括第一平面样品放置区和第二平面样品放置区，所述截面样品放置结构包括第一截面样品放置区和第二...
该专利属于英诺赛科（苏州）半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英诺赛科（苏州）半导体有限公司授权不得商用。

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