【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体芯片制造，尤其涉及一种fib比对分析载物台。
技术介绍
1、fib(focused ion beam，聚焦离子束)可对样品平面&截面进行观察、分析、量测等，为了维持设备正常运转，其中载物台是fib不可缺的专属耗材。
2、目前，载物台只能进行样品平面或截面的单一分析，每做其中一种分析就需要进行破真空、抽真空，周期时间较长。且电镜现有的载物台比较单一，无法放置截面样品，只能通过破真空转角度放置制备平面样品，速度慢效率较低。然而，当电镜设备破真空次数较多时，易造成设备真空仓污染、及宕机等问题。此外，目前的tem平面样品制备只能通过截面制备的方法，即通过加大制备样品尺寸，不断更改探针、载物台及样品架角度，该方法下，在遇到紧急状况时，无法及时支撑，容易引起器件损坏。
3、因此，亟需一种fib比对分析载物台以解决上述问题。
技术实现思路
1、本技术提供一种fib比对分析载物台，用以解决现有技术中载物台只能进行样品平面或截面的单一分析的缺陷，同时实现样品平...
【技术保护点】
1.一种FIB比对分析载物台，其特征在于，包括基座，所述基座上设有平面样品放置结构和截面样品放置结构，所述平面样品放置结构包括第一平面样品放置区和第二平面样品放置区，所述截面样品放置结构包括第一截面样品放置区和第二截面样品放置区。
2.根据权利要求1所述的FIB比对分析载物台，其特征在于，所述平面样品放置结构包括平面样品放置台，所述平面样品放置台设置于所述基座。
3.根据权利要求2所述的FIB比对分析载物台，其特征在于，所述平面样品放置台上设有用于对平面样品进行限位的限位结构。
4.根据权利要求3所述的FIB比对分析载物台，其特征在...
【技术特征摘要】
1.一种fib比对分析载物台，其特征在于，包括基座，所述基座上设有平面样品放置结构和截面样品放置结构，所述平面样品放置结构包括第一平面样品放置区和第二平面样品放置区，所述截面样品放置结构包括第一截面样品放置区和第二截面样品放置区。
2.根据权利要求1所述的fib比对分析载物台，其特征在于，所述平面样品放置结构包括平面样品放置台，所述平面样品放置台设置于所述基座。
3.根据权利要求2所述的fib比对分析载物台，其特征在于，所述平面样品放置台上设有用于对平面样品进行限位的限位结构。
4.根据权利要求3所述的fib比对分析载物台，其特征在于，所述限位结构包括设置于所述平面样品放置台上的限位槽。
5.根据权利要求1所述的fib比对分析载物台，其特征在于，所述截面样品放置结构包括截面样品固定槽，所述截面样品固定槽设置于所述基座。
6.根据权利要求5所述的fib比对分析载物...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴海生，
申请(专利权)人：英诺赛科苏州半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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