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基于Ge-Te基相变薄膜的多层多通道立体开关矩阵及制备方法技术
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下载基于Ge-Te基相变薄膜的多层多通道立体开关矩阵及制备方法的技术资料
文档序号:42305827
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本发明公开了一种基于Ge‑Te基相变薄膜的多层多通道立体开关矩阵及制备方法,所述的开关矩阵包括衬底,相变层、电极层、地导体层、绝缘层和钝化层。针对相变层与电极层成连珠式错层排布。不同功能的电极层通过绝缘层隔开有效避免发生短路以及信号之间相互...
该专利属于华东师范大学所有,仅供学习研究参考,未经过华东师范大学授权不得商用。
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