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本发明提供一种半导体工艺装置及去除熔融硅表面结晶片的方法,定位识别结构识别熔融硅表面结晶片,计算控制系统处理定位识别信息并判断是否识别到结晶片;识别到结晶片时伺服系统控制激光器保持对准结晶片激光加热;结晶片被完全去除后停止激光加热。本发明通...该专利属于上海新昇半导体科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海新昇半导体科技有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种半导体工艺装置及去除熔融硅表面结晶片的方法,定位识别结构识别熔融硅表面结晶片,计算控制系统处理定位识别信息并判断是否识别到结晶片;识别到结晶片时伺服系统控制激光器保持对准结晶片激光加热;结晶片被完全去除后停止激光加热。本发明通...