一种半导体工艺装置及去除熔融硅表面结晶片的方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体工艺装置及去除熔融硅表面结晶片的方法，定位识别结构识别熔融硅表面结晶片，计算控制系统处理定位识别信息并判断是否识别到结晶片；识别到结晶片时伺服系统控制激光器保持对准结晶片激光加热；结晶片被完全去除后停止激光加热。本发明专利技术通过定位识别结构自动识别熔融硅表面结晶片并反馈激光器对结晶片加热，可快速准确去除结晶片，避免影响熔融硅表面的拉晶质量；同时通过伺服系统控制激光器和定位识别结构的角度和位置，提高识别和加热的灵活性，避免影响拉晶进度；另外利用激光器同时作为定位识别结构的成像光源和加热源，提高识别分辨率并降低结晶片产生可能性；最后用CCD相机进行成像，保证成像分辨率和定位准确性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体集成电路制造，特别是涉及一种半导体工艺装置及去除熔融硅表面结晶片的方法。

技术介绍

1、在单晶硅提拉生长(拉晶)过程中，由于熔融硅的加热功率较低、熔融硅表面的温度低于熔融硅内部的温度，及用于遮挡向外溅射的熔融硅的热屏底部的溅料硅容易熔化后滴落至熔融硅表面等原因，都会导致进行拉晶的石英坩埚内的熔融硅表面经常出现呈片状的、面积较小、分布随机分散、与熔融硅色差较小的结晶片。这些结晶片若未进行及时的熔化处理，就会逐渐长大，甚至逐渐向单晶硅棒转移，导致单晶硅棒不能正常地生长，从而造成拉晶得到的单晶硅棒长度减少、单晶硅棒的生长成本增加等问题。

2、然而由于这些熔融硅表面结晶片本身地出现时间和位置分布很随机，且微小难辨，因此很难被及时迅速地发现并去除，在去除过程中往往需要停止正在进行的拉晶过程，从而容易进一步对拉晶效率及拉晶质量造成严重影响。

3、因此，亟待一种能够在不影响拉晶过程的条件下，及时、准确地去除拉晶过程中在熔融硅表面生长出的结晶片。

4、应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体工艺装置，其特征在于，所述半导体工艺装置包括：定位识别结构、激光器、伺服系统和计算控制系统；

2.根据权利要求1所述的半导体工艺装置，其特征在于，所述伺服系统还与所述定位识别结构连接以控制所述定位识别结构的角度和/或位置。

3.根据权利要求2所述的半导体工艺装置，其特征在于，所述定位识别结构为激光接收器和所述激光器；所述计算控制系统通过控制所述激光器的功率为识别功率或加热功率切换所述激光器用于定位识别或加热的功能；所述激光接收器用于接收所述激光器发射出的激光从熔融硅表面反射回来的激光反射信号，所述计算控制系统处理所述激光接收器接收到的激光反射信号以判...

【技术特征摘要】

1.一种半导体工艺装置，其特征在于，所述半导体工艺装置包括：定位识别结构、激光器、伺服系统和计算控制系统；

2.根据权利要求1所述的半导体工艺装置，其特征在于，所述伺服系统还与所述定位识别结构连接以控制所述定位识别结构的角度和/或位置。

3.根据权利要求2所述的半导体工艺装置，其特征在于，所述定位识别结构为激光接收器和所述激光器；所述计算控制系统通过控制所述激光器的功率为识别功率或加热功率切换所述激光器用于定位识别或加热的功能；所述激光接收器用于接收所述激光器发射出的激光从熔融硅表面反射回来的激光反射信号，所述计算控制系统处理所述激光接收器接收到的激光反射信号以判断所述激光器是否识别到所述结晶片。

4.根据权利要求3所述的半导体工艺装置，其特征在于，所述激光接收器为ccd相机，所述ccd相机接收所述激光器发射的激光反射回来的激光反射信号，所述计算控制系统处理所述ccd相机接收到的激光反射信号以判断是否识别到所述结晶片。

5.根据权利要求1或2所述的半导体工艺装置，其特征在于，所述定位识别结构为ccd相机，所述ccd相机用于对熔融硅表面进行自然光成像以得到识别图像，所述计算控制系统处理所述ccd相机得到的识别图像以判断是否识别到熔融硅表面的所述结晶片。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘帅宾，金光勲，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：