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公开了一种嵌有ＰＣＭ部分的ＣＭＯＳ逻辑部分，该ＣＭＯＳ逻辑部分被凹进以栅结构高度，以提供ＣＭＯＳ逻辑部分与ＰＣＭ部分的平面度，所述栅结构高度与测量的栅氧化层和多晶硅栅的厚度一样。...
该专利属于Ｍ.马里亚尼;Ｌ.弗拉蒂;Ａ.Ｒ.奥多里齐;Ｍ.马吉斯特雷蒂所有，仅供学习研究参考，未经过Ｍ.马里亚尼;Ｌ.弗拉蒂;Ａ.Ｒ.奥多里齐;Ｍ.马吉斯特雷蒂授权不得商用。

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