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本申请提供了一种复合衬底、半导体器件结构及其制备方法，本申请在支撑衬底上依次形成缓冲层、外延生长层后将外延生长层键合至表面具有键合层的目标衬底上，去除支撑衬底以及缓冲层，形成从下至上由目标衬底、键合层、外延生长层构成的复合衬底，其中，缓冲层...
该专利属于苏州晶湛半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州晶湛半导体有限公司授权不得商用。

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