【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体涉及一种复合衬底、半导体器件结构及其制备方法。
技术介绍
1、目前市场上的fd-soi技术即全耗尽型soi技术，也写成etsoi即超薄型soi，具有非常强的竞争力，fd-soi是下一代晶体管结构的热门技术之一。soi指的是在ic的制造过程中采用硅+绝缘层+硅的硅基体结构方式，这种结构方式的优势是可以减小器件的寄生电容并改善器件的性能。
2、在fd-soi结构中，soi中位于顶层的硅层厚度会减薄至5-20nm，这样器件工作时栅极下面沟道位置下方的耗尽层便可充满整个硅层，如此便可消除在pd-soi(部分耗尽soi)中常见的浮体效应。但是，普通工艺难以制备缺陷密度低、晶体质量好且不易破裂的薄层顶层硅。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请实施例提供了一种复合衬底、半导体器件结构及其制备方法，以解决现有技术中fd-soi结构难以制备晶体质量好的薄层顶层硅的技术问题。
2、根据本申请的一个方面，本申请一实施例提供了一种复合衬底的制备方法，其特征在于，包括以
【技术保护点】
1.一种复合衬底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述复合衬底的制备方法，其特征在于，所述第一子层(21)和所述第二子层(22)的厚度恒定且相同或不同；或
3.根据权利要求1所述复合衬底的制备方法，其特征在于，所述缓冲层(2)的所述第一子层(21)和所述第二子层(22)的厚度范围为1-10nm。
4.根据权利要求1所述复合衬底的制备方法，其特征在于，所述第一子层(21)的材料为SiGe，所述第二子层(22)的材料为Si或Ge。
5.根据权利要求1所述复合衬底的制备方法，其特征在于，所述缓冲层(2)...
【技术特征摘要】
1.一种复合衬底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述复合衬底的制备方法，其特征在于，所述第一子层(21)和所述第二子层(22)的厚度恒定且相同或不同；或
3.根据权利要求1所述复合衬底的制备方法，其特征在于，所述缓冲层(2)的所述第一子层(21)和所述第二子层(22)的厚度范围为1-10nm。
4.根据权利要求1所述复合衬底的制备方法，其特征在于，所述第一子层(21)的材料为sige，所述第二子层(22)的材料为si或ge。
5.根据权利要求1所述复合衬底的制备方法，其特征在于，所述缓冲层(2)的每个周期包括一个所述第一子层(21)和一个所述第二子层(22)，所述缓冲层(2)的周期个数为2-20。
6.根据权利要求1所述复合衬底的制备方法，其特征在于，所述外延生长层(3)的材料为si、ge或sige中的一种。
7.根据权利要求1所述复合衬底的制备方法，其特征在于，所述外延生长层(3)具有至少100ohm·cm的电阻率。
8.根据权利要求1所述复合衬底的制备方法，其特征在于，所述外延生长层(3)为第一导电类型层，所述第一导电类型层为p型掺杂层或n型掺杂层。
9.根据权利要求1所述复合衬底的制备方法，其特征在于，所述外延生长层(3)通过离子注入形成第一导电类型区(31)和第二导电类型区(32)，所述第一导电类型区(31)和所述第二导电类型区(32...
【专利技术属性】
技术研发人员：程凯，
申请(专利权)人：苏州晶湛半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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