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本发明提供一种像素单元结构，其薄膜晶体管中，源极与数据线连接；栅极与栅线连接；漏极设置于栅极绝缘层远离衬底基板一侧；金属氧化物半导体层设置于栅极绝缘层远离衬底基板一侧，且包括半导体部分和分别位于半导体部分两侧的第一导电部分和第二导电部分，其...
该专利属于京东方科技集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过京东方科技集团股份有限公司授权不得商用。

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