像素单元结构及其制备方法、显示面板及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种像素单元结构，其薄膜晶体管中，源极与数据线连接；栅极与栅线连接；漏极设置于栅极绝缘层远离衬底基板一侧；金属氧化物半导体层设置于栅极绝缘层远离衬底基板一侧，且包括半导体部分和分别位于半导体部分两侧的第一导电部分和第二导电部分，其中，半导体部分覆盖栅极绝缘层的凸起部分，凸起部分为栅极绝缘层覆盖栅极的部分；第一导电部分邻近于漏极的一端与漏极连接或者用作漏极的至少一部分；第二导电部分通过栅极绝缘层和层间介质层上对应形成的第一过孔与源极连接。本发明专利技术不仅可以提高像素开口率，而且还可以在相同空间尺寸下增加沟道长度，从而可以提高薄膜晶体管的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

技术介绍

技术实现思路

【技术保护点】

PCT国内申请，权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

pct国内申请，权...

【专利技术属性】
技术研发人员：童彬彬，宁策，王利忠，黄睿，杨维，赵梦，周天民，张劲潮，郭晖，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：