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本发明属于磁传感器技术领域，公开一种用于对磁阻元件施加大磁场的方法、磁阻元件及其制备方法；该用于对磁阻元件施加大磁场的方法包括在基板上制造磁阻元件；在基板上沉积软磁元件，使至少一磁阻子元件中各磁阻子元件靠近软磁元件的边缘位置；对基板施加第一...
该专利属于珠海多创科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过珠海多创科技有限公司授权不得商用。

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