一种用于对磁阻元件施加大磁场的方法、磁阻元件及其制备方法技术

本发明专利技术属于磁传感器技术领域，公开一种用于对磁阻元件施加大磁场的方法、磁阻元件及其制备方法；该用于对磁阻元件施加大磁场的方法包括在基板上制造磁阻元件；在基板上沉积软磁元件，使至少一磁阻子元件中各磁阻子元件靠近软磁元件的边缘位置；对基板施加第一磁场，使至少一磁阻子元件中各磁阻子元件的周围具有第二磁场；第一磁场及第二磁场的磁场方向平行于所述基板，第二磁场的磁场强度大于第一磁场的磁场强度。本发明专利技术通过在磁阻元件的侧边沉积软磁元件，使得软磁元件相邻的磁阻元件周围磁场的磁场强度获得加大，降低磁场产生设备所提供磁场的要求，进而降低磁阻元件的制备难度及易于工业化实现。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及磁传感器，尤其涉及一种用于对磁阻元件施加大磁场的方法、磁阻元件及其制备方法。

技术介绍

1、磁阻传感器是一种可探测磁场的方向、强度以及位置的传感器，在许多领域已得到广泛使用。

2、磁阻传感器在制备过程中，需经磁场退火处理获得较高的适于实际应用的mr值。磁场退火过程中一般要求磁场为0.5t~2t之间，温度为300~350℃。

3、用于产生磁场的永磁体一般无法提供大区域的高强磁场，或无法适应高温环境工作。通常采用超导线圈来提供大磁场。但超导线圈需要在极低温度的真空环境下工作，在应用于大磁场提供时需要抽真空、带磁场升温、带磁场退火、带磁场降温等过程，如应用于磁阻传感器的制备，其流程复杂，工作效率低下。

4、上述内容仅用于辅助理解本专利技术的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种用于对磁阻元件施加大磁场的方法、磁阻元件及其制备方法，改善现有磁阻元件在磁场施加磁场过程中施加大磁场难的问题。

<p>2、为实现上述目本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于对磁阻元件施加大磁场的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述软磁元件经非磁元件沉积于所述至少一磁阻子元件中各磁阻子元件的一侧或两侧。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

7.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其特征在于，所述第二磁场的磁场强度为所述第一磁场的磁场强度的2~10倍。

8.一种磁阻元件的制备方法，其...

【技术特征摘要】

1.一种用于对磁阻元件施加大磁场的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述软磁元件经非磁元件沉积于所述至少一磁阻子元件中各磁阻子元件的一侧或两侧。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

7.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：关蒙萌，胡忠强，朱红艳，高杰强，
申请(专利权)人：珠海多创科技有限公司，
类型：发明
国别省市：