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本申请提供一种铁电场效应晶体管、存储阵列及其控制方法、存储装置，涉及铁电场效应晶体管领域，能够降低对铁电场效应晶体管中铁电层的电压扰动(disturb)。该铁电场效应晶体管中包括第一栅极、第二栅极、第一介质层、沟道层、铁电层、源极和漏极。其...
该专利属于华为技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华为技术有限公司授权不得商用。

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