铁电场效应晶体管、存储阵列及其控制方法、存储装置制造方法及图纸

本申请提供一种铁电场效应晶体管、存储阵列及其控制方法、存储装置，涉及铁电场效应晶体管领域，能够降低对铁电场效应晶体管中铁电层的电压扰动(disturb)。该铁电场效应晶体管中包括第一栅极、第二栅极、第一介质层、沟道层、铁电层、源极和漏极。其中，第一栅极上设置有第一通孔，第二栅极延伸至第一通孔中。第一介质层、沟道层、铁电层在第一通孔中环绕第二栅极依次设置，且铁电层与位于第一通孔侧壁的第一栅极接触。源极和漏极设置在第一通孔的两端、且与沟道层的两端电连接。通过引入第二栅极作为背栅来控制沟道层导通，在极大程度上避免了通过第一栅极仅开启沟道时对铁电层造成不必要的电压扰动。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及铁电场效应晶体管领域，尤其涉及一种铁电场效应晶体管、存储阵列及其控制方法、存储装置。

技术介绍

1、随着存储技术的发展，nand闪存(即nand flash)成为一种高密度硬盘的技术解决方案，并通过3d nand的架构可以不断增加存储容量。与此同时，nand flash虽然具有极高的密度，其延时也较高。随着数据吞吐量的增加和计算效率的不断提升，传统nand flash的延时和速写速度逐渐无法满足未来机器学习等算法的需求。因此，业界亟需一种新型的nand存储技术来同时实现低延时和高密度的存储。

2、基于铁电晶体管(ferroelectric field effect transistor，fefet；也可以称为铁电场效应晶体管)技术的fenand在一众技术路线中，具有其突出优势。首先，铁电介质相比传统nand存储具有极快的翻转速度，可以实现ns(纳秒)级别的读写速度。另外，铁电晶体管很好地兼容了3d nand的垂直串联架构，使得fenand也可以实现极高的存储密度。其次，铁电材料表现出优异的耐久性(endurance)，有望满足nand本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种铁电场效应晶体管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的铁电场效应晶体管，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的铁电场效应晶体管，其特征在于，

4.根据权利要求1-3任一项所述的铁电场效应晶体管，其特征在于，

5.根据权利要求1-4任一项所述的铁电场效应晶体管，其特征在于，

6.一种存储阵列，其特征在于，包括：

7.根据权利要求6所述的存储阵列，其特征在于，

8.根据权利要求6或7所述的存储阵列，其特征在于，

9.根据权利要求6-8任一项所述的存储阵列，其特征在于，

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【技术特征摘要】

1.一种铁电场效应晶体管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的铁电场效应晶体管，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的铁电场效应晶体管，其特征在于，

4.根据权利要求1-3任一项所述的铁电场效应晶体管，其特征在于，

5.根据权利要求1-4任一项所述的铁电场效应晶体管，其特征在于，

6.一种存储阵列，其特征在于，包括：

7.根据权利要求6所述的存储阵列，其特征在于，

8.根据权利要求6或7所述的存储阵列，其特征在于，

9.根据权利要求6-8任一项所述的存储阵列，其特征在于，

10.根据权利要求6-9任一项所述的存储阵列，其特征在于，

11.根据权利要求6-10任一项所述的存储阵列，其特征在于，

12.一种如权利要求6-11任一项所述的存储阵列的控制方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹士杰，吴颖，吕杭炳，许俊豪，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：