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本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种基于SOI工艺的CMOS集成电路基本单元，包括：从下到上依次设置有硅单晶半导体区域、外延硅单晶区域、SOI区域以及晶体管；晶体管由硅单晶半导体区、沟道区、漂移区、源区、漏区、栅极氧化层以及多晶硅电极组成...
该专利属于电子科技大学重庆微电子产业技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学重庆微电子产业技术研究院授权不得商用。

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