下载一种基于SOI工艺的CMOS集成电路基本单元的技术资料

文档序号:42219866

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本发明属于微电子技术领域,具体涉及一种基于SOI工艺的CMOS集成电路基本单元,包括:从下到上依次设置有硅单晶半导体区域、外延硅单晶区域、SOI区域以及晶体管;晶体管由硅单晶半导体区、沟道区、漂移区、源区、漏区、栅极氧化层以及多晶硅电极组成...
该专利属于电子科技大学重庆微电子产业技术研究院所有,仅供学习研究参考,未经过电子科技大学重庆微电子产业技术研究院授权不得商用。

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