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一种制造非易失性存储器件的方法，包括在半导体衬底上形成隧道层和导电层，并且图案化所述导电层、所述隧道层和所述半导体衬底以在半导体衬底中形成导电图案、隧道图案和沟槽。所述方法还包括用绝缘材料填充所述沟槽，并且暴露所述导电图案的部分侧壁。所述方...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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