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本发明公开了一种基于数字芯片的压降分析方法及优化方法，所述分析方法包括以下步骤：S1：提取设计数据文件，并配制GSR文件；S2：计算芯片功耗，并抽取电源网络的电阻参数；S3：定义约束条件，进行静态IR Drop分析，获得静态IR Drop分...
该专利属于西南科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西南科技大学授权不得商用。

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