温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请提供了一种半导体器件，包括半导体层与沟槽栅极结构，半导体层具有相对的第一表面和第二表面，包括：源区，自第一表面向第二表面延伸；漂移区和体区，至少部分漂移区位于体区和第二表面之间，体区的第一部分位于源区和漂移区之间；其中，在第一表面内，...
该专利属于重庆奕能科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过重庆奕能科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。