【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体器件，更具体地，涉及一种具有沟槽栅结构的半导体器件。
技术介绍
1、用于功率应用的晶体管需要高阻塞电压、低导通电阻和高稳健性/可靠性，以维持高功率密度和高散热量。由于器件在使用过程中沟道处会产生大量热量，因此管理器件运行中产生的热量及时有效的散发是提高器件稳健性和可靠性的关键问题之一。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，本申请的目的在于提供一种半导体器件，通过对器件的沟槽栅极结构和源区的布局进行调整，使得器件运行过程中的热量可以及时有效的分散到器件的各区域，从而提高器件的可靠性和稳健性。
2、根据本申请实施例提供的一种半导体器件，包括半导体层与沟槽栅极结构，所述半导体层具有相对的第一表面和第二表面，所述沟槽栅极结构的至少部分位于从所述半导体层的所述第一表面向第二表面延伸的沟槽中，所述半导体层包括：源区，自所述第一表面向所述第二表面延伸；漂移区和体区，至少部分所述漂移区位于所述体区和所述半导体层的第二表面之间，所述体区的第一部分位于所述源区和所述漂移区之间；其中，在...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括半导体层与沟槽栅极结构，所述半导体层具有相对的第一表面和第二表面，所述沟槽栅极结构的至少部分位于从所述半导体层的所述第一表面向第二表面延伸的沟槽中，所述半导体层包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，相邻的所述源区之间间隔至少一个弯折区后与所述沟槽栅极结构的第一侧壁和/或第二侧壁邻接。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述源区与所述沟槽栅极结构的第一侧壁和第二侧壁均邻接时，所述源区与第一侧壁邻接和与第二侧壁邻接交替进行。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述沟槽栅极结构包括多个相...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括半导体层与沟槽栅极结构，所述半导体层具有相对的第一表面和第二表面，所述沟槽栅极结构的至少部分位于从所述半导体层的所述第一表面向第二表面延伸的沟槽中，所述半导体层包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，相邻的所述源区之间间隔至少一个弯折区后与所述沟槽栅极结构的第一侧壁和/或第二侧壁邻接。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述源区与所述沟槽栅极结构的第一侧壁和第二侧壁均邻接时，所述源区与第一侧壁邻接和与第二侧壁邻接交替进行。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述沟槽栅极结构包括多个相同的单元，每个单元中包括至少四个弯折区。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，在第一表面内，所述沟槽栅极结构的单元中，所述沟槽栅极结构沿第一方向-第二方向-第一方向-负第二方向-第一方向或相反的方式以正交转弯方式延伸，所述第一方向与所述第二方向垂直。
6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，在第一表面内，所述沟槽栅极结构的单元中，所述沟槽栅极结构沿第一方向-第二方向-第一方向-第四方向-负第二方向-第一方向或相反的方式转弯延伸，所述第四方向与所述第一方向的夹角为不大于60°的锐角。
7.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，在第一表面内，所述沟槽栅极结构的单元中，所述沟槽栅极结构沿第一方向-第五方向-第二方向-第五方向-第一方向-第四方向-负第二方向-第四方向-第一方向或相反的方式转弯延伸，所述第四方向与所述第五方向垂直，所述第四方向与所述第一方向的夹角为不大于60°的锐角。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一方向为晶格方向。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，还包括载流子引导区，至少部分位于所述体区的第一部分下方的所述漂移区中。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述载流子引导区的顶面与所述第一表面之间的距离大于所述沟槽栅极结构的底面与所述第一表面之间的距离，且小于所述体区的第三部分的底面与所述第一表面之间的距离；所述载流子引导区的底面与所述第一表面之间的距离小于或等于或大...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴汉洙，
申请(专利权)人：重庆奕能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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