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本发明涉及一种航天器用抗辐照VDMOS产品特性表征方法，包括：确定航天器用抗辐照VDMOS产品电特性参数及测试条件；确定航天器用抗辐照VDMOS产品抗辐照特性参数及条件；确定航天器用抗辐照VDMOS产品可靠性指标；确定航天器用抗辐照VDMO...
该专利属于中国空间技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过中国空间技术研究院授权不得商用。

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