【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电子产品可靠性工程，涉及一种航天器用抗辐照vdmos产品特性表征方法。
技术介绍
1、vdmos是一种单极型电压控制器件，相比其它功率器件有许多优良性能。其一，由于是多子器件，不存在少子存储效应，工作频率高，开关速度快，并且有较小的开关损耗；其二，由于vdmos是压控器件，输入阻抗高，电流增益大，驱动功率小，且驱动电路简单；其三，功率vdmos器件具有沟道短，跨导线性高，放大的失真小；其四，具有负的电流温度系数，没有二次击穿效应，安全工作区宽，热稳定性好。目前功率vdmos己经广泛应用于各种电子设备中，如高速开关电路，开关电源，不间断电源，高功率放大电路，固体继电器，控制电路与功率负载之间的接口电路等方面。
2、抗辐照vdmos是航天器供电系统的重要组成部分，在开关稳压电源方面，vdmos可以大幅度地提高工作频率(可达1mhz)、减小体积、降低成本、提高效率；在变换器中vdmos作为功率变换器件，由于驱动简单、开关速度快，可以改善变换器的性能；vdmos管作为开关电源的开关管，开关频率高(可达1mhz)，驱动简...
【技术保护点】
1.一种航天器用抗辐照VDMOS产品特性表征方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种航天器用抗辐照VDMOS产品特性表征方法，其特征在于，所述确定航天器用抗辐照VDMOS产品电特性参数及测试条件，包括：
3.根据权利要求1所述的一种航天器用抗辐照VDMOS产品特性表征方法，其特征在于，所述确定航天器用抗辐照VDMOS产品抗辐照特性参数及条件，包括：
4.根据权利要求3所述的一种航天器用抗辐照VDMOS产品特性表征方法，其特征在于，抗电离总剂量试验的栅源及漏源偏置条件包括静态栅源偏置和静态漏源偏置，栅源偏置需要满...
【技术特征摘要】
1.一种航天器用抗辐照vdmos产品特性表征方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种航天器用抗辐照vdmos产品特性表征方法，其特征在于，所述确定航天器用抗辐照vdmos产品电特性参数及测试条件，包括：
3.根据权利要求1所述的一种航天器用抗辐照vdmos产品特性表征方法，其特征在于，所述确定航天器用抗辐照vdmos产品抗辐照特性参数及条件，包括：
4.根据权利要求3所述的一种航天器用抗辐照vdmos产品特性表征方法，其特征在于，抗电离总剂量试验的栅源及漏源偏置条件包括静态栅源偏置和静态漏源偏置，栅源偏置需要满足器件完全开启，选择55％～65％；漏源偏置选择75％～85％，覆盖降额及电应力考核要求。
5.根据权利要求3所述的一种航天器用抗辐...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕倩倩，张伟，李培蕾，谷瀚天，姜贸公，
申请(专利权)人：中国空间技术研究院，
类型：发明
国别省市：
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