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本发明公开了一种去除碳化硅外延片揭膜后脏污的清洗方法，包括以下步骤：步骤S1：将晶片进行有机药液浸泡，分别使用丙酮和无水乙醇进行混合清洗；并将晶片转移至纯水槽中，进行第一次QDR清洗处理；步骤S2：将晶片进行SPM药液浸泡；并将晶片转移至纯...
该专利属于广东天域半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广东天域半导体股份有限公司授权不得商用。

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