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本发明公开了一种基于背面深槽隔离技术的复合介质栅多光谱探测器，属于半导体技术领域。通过改变背面深槽隔离介质的形状、表面掺杂及生长工艺等，形成不同深度下不同缺陷密度的深沟槽隔离介质，通过控制不同工艺的种类，制作所需通道数的多光谱探测器。再通过...
该专利属于南京大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京大学授权不得商用。

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