【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种基于背面深槽隔离技术的复合介质栅多光谱探测器，属于半导体。
技术介绍
1、复合介质栅是一种在半导体器件设计中使用的结构，特别是在光敏探测器和图像传感器领域。这种结构利用多层介质材料来增强器件的性能，例如提高光敏性、改善暗电流特性、增强电荷存储能力等。复合介质栅通常由多层介质材料组成，包括绝缘介质层和电荷耦合层等，它们与控制栅极一起工作，以实现高效的光电转换。公开号为cn102938409a的中国专利申请文件中公开了一种基于复合介质栅mosfet的双晶体管光敏探测器，该光敏探测器中，每个像素包括主要用于感光的感光晶体管(也称mos电容)和用于读取光生电荷数量的读取晶体管。上述光敏探测器的制作可以与集成电路制造工艺兼容，且相较ccd（charge-coupled device camera）和cmos（complementary metal-oxide-semiconductor），该光敏探测器在相同像素尺寸下可实现更高的信噪比以及更高的满阱电荷，在低光照条件下可以获得更清晰、干净的图像，因而应用前景广阔。为了使单个复合介...
【技术保护点】
1.一种基于背面深槽隔离技术的复合介质栅多光谱探测器，包含多个独立的复合介质栅探测器单元，其特征在于，每个探测器单元包含：
2.根据权利要求1所述的复合介质栅多光谱探测器，其特征在于，所述探测器中的多个探测器单元的深槽隔离结构的深度与宽度随机设置且不完全相同，以形成多个探测器单元之间对不同深度的载流子不同的俘获与复合能力。
3.根据权利要求1所述的复合介质栅多光谱探测器，其特征在于，所述探测器中的探测器单元的深槽隔离结构的表面掺杂有杂质离子。
4.根据权利要求1所述的复合介质栅多光谱探测器，其特征在于，所述探测器中的探测器单元的载流...
【技术特征摘要】
1.一种基于背面深槽隔离技术的复合介质栅多光谱探测器，包含多个独立的复合介质栅探测器单元，其特征在于，每个探测器单元包含：
2.根据权利要求1所述的复合介质栅多光谱探测器，其特征在于，所述探测器中的多个探测器单元的深槽隔离结构的深度与宽度随机设置且不完全相同，以形成多个探测器单元之间对不同深度的载流子不同的俘获与复合能力。
3.根据权利要求1所述的复合介质栅多光谱探测器，其特征在于，所述探测器中的探测器单元的深槽隔离结构的表面掺杂有杂质离子。
4.根据权利要求1所述的复合介质栅多光谱探测器，其特征在于，所述探测器中的探测...
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