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本发明公开了一种紫外光和可见光双波段光电探测器及其制备方法，本发明在N型GaAs衬底上依次生长N型GaAs缓冲层、N型AlGaAs背面空穴阻挡层、非故意掺杂GaAs吸收层、P型AlGaAs窗口层和P型GaAs接触层，并在探测器上沉积GaO薄...
该专利属于天津理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津理工大学授权不得商用。

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