一种紫外光和可见光双波段光电探测器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种紫外光和可见光双波段光电探测器及其制备方法，本发明专利技术在N型GaAs衬底上依次生长N型GaAs缓冲层、N型AlGaAs背面空穴阻挡层、非故意掺杂GaAs吸收层、P型AlGaAs窗口层和P型GaAs接触层，并在探测器上沉积GaO薄膜。本发明专利技术能够共用检测电极不会影响电流的正常流动，从而实现共用光入射窗口和检测电极，在成本、集成度和焦平面拓展等方面具有更高的商用价值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电探测器，具体来说涉及一种紫外光和可见光双波段光电探测器及其制备方法。

技术介绍

1、目标信息的增加可以有效降低探测系统的虚警率，提高其抗干扰能力和可靠性。因此，多波段光电探测器应运而生。现有技术中在地空导弹的导引头上同时安装了紫外和红外光电探测器，实现了紫外/红外双色制导，能够有效对抗机载有源干扰及红外诱饵弹。在激光跟踪瞄准系统里增加紫外光电探测器，可以同时实现火焰检测，进一步提高系统在目标不同状态下的检测准确性。在光通信领域，增加紫外光电探测器，可以实现双波段耦合的加密通信，有效提高特殊通讯的安全性。

2、基于gaas吸收层的光电探测器主要工作在可见光波段和波长为300~870nm（常用通讯波长为850nm）近红外波段，在短距高速光通讯、可见光成像和激光预警等民用和军用领域具有广阔的应用空间。相较之下，紫外光电探测器的材料和光电探测器仍处于研发阶段。其中，日盲紫外光电探测器无需滤光片即可屏蔽波长大于280nm的紫外光、可见光和红外光，免受近地日光背景的影响，因此，是紫外探测器的重点研究对象之一，常用吸收层材料为超宽带隙半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种紫外光和可见光双波段光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤一中，所述N型GaAs缓冲层的厚度为0.5~2μm，掺杂浓度为1×1017/cm3 ~2×1018/cm3 。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤一中，所述N型AlGaAs背面空穴阻挡层的厚度为0.5~2μm，掺杂浓度为1×1017/cm3 ~2×1018/cm3 ，Al组分为10%~30%。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤一中，所述非故意掺杂GaAs吸收层的厚度为1~5μm，可...

【技术特征摘要】

1.一种紫外光和可见光双波段光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤一中，所述n型gaas缓冲层的厚度为0.5~2μm，掺杂浓度为1×1017/cm3 ~2×1018/cm3 。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤一中，所述n型algaas背面空穴阻挡层的厚度为0.5~2μm，掺杂浓度为1×1017/cm3 ~2×1018/cm3 ，al组分为10%~30%。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤一中，所述非故意掺杂gaas吸收层的厚度为1~5μm，可有效吸收波长为300~850nm的可见光。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤一中，所述p型algaas窗口层的厚度为0.5~2μm，掺杂浓度为1×1016/cm3 ~2×1018/cm3 ，al组分为10%~30%。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱岩，何林安，弭伟，王迪，
申请(专利权)人：天津理工大学，
类型：发明
国别省市：