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本发明涉及一种GaN基的单晶半导体激光芯片及其制备方法。该半导体激光芯片包括由下至上依次相连的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，所述下限制层包括第一下限制层和第二下限制层；该半导体激光芯片通过增设单晶谐振等离...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

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