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本发明提供了一种SONOS器件的制造方法及SONOS器件，属于半导体领域。该SONOS器件的制造方法包括S1：提供衬底，并在所述衬底上至少分别形成ONO区域和外围逻辑区域；S2：在所述ONO区域和外围逻辑区域通过炉管氧化工艺分别沉积前置氧化...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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