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本文公开了用于多栅极器件的自对准栅极隔离/切割技术。示例性多栅极器件包括具有围绕半导体层的栅极堆叠件的第一栅极。第一栅极设置在第一栅极隔离壁和第二栅极隔离壁之间。栅极堆叠件具有栅极电介质和栅电极，栅极堆叠件具有第一侧壁和第二侧壁，并且第一侧...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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