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一种硅化镍纳米线的制备方法，其具体包括以下步骤：提供一硅基片，并在该硅基片表面形成一二氧化硅层；在上述硅基片的二氧化硅层表面沉积一钛层；提供一生长装置，且该生长装置具有一反应室，并将上述沉积有钛层的硅基片置入反应室内，并加热至５００～１００...
该专利属于清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司授权不得商用。

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