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本发明提供一种改善半浮栅器件栅极高度差的方法，提供衬底，衬底上逻辑器件区上形成有逻辑栅极结构，衬底上的存储区上形成有半浮栅结构，半浮栅结构的顶端高于逻辑栅极结构；在衬底上形成覆盖逻辑栅极结构、半浮栅结构的刻蚀停止层，形成覆盖刻蚀停止层的第一...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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