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本发明提出一种用于制备背接触太阳电池的半导体硅片的制备工艺，硅片基底材料的电阻率在15~20Ω·cm，制备工艺包括步骤：硅片表面清洗及制绒、磷扩散、氮化硅掩膜、激光烧蚀、二次清洗、硅片两面扩散三溴化硼、双面沉积氮化硅膜。本发明的半导体硅片的...该专利属于江苏伏图拉新能源集团有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏伏图拉新能源集团有限公司授权不得商用。
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本发明提出一种用于制备背接触太阳电池的半导体硅片的制备工艺，硅片基底材料的电阻率在15~20Ω·cm，制备工艺包括步骤：硅片表面清洗及制绒、磷扩散、氮化硅掩膜、激光烧蚀、二次清洗、硅片两面扩散三溴化硼、双面沉积氮化硅膜。本发明的半导体硅片的...