一种用于制备背接触太阳电池的半导体硅片的制备工艺制造技术

本发明专利技术提出一种用于制备背接触太阳电池的半导体硅片的制备工艺，硅片基底材料的电阻率在15~20Ω·cm，制备工艺包括步骤：硅片表面清洗及制绒、磷扩散、氮化硅掩膜、激光烧蚀、二次清洗、硅片两面扩散三溴化硼、双面沉积氮化硅膜。本发明专利技术的半导体硅片的制备工艺，通过轻掺杂在硅片前表面形成均匀的扩散层；在N型硅基片上同步扩散形成前表面和背面发射极，并在高温氧气氛围下进行硼扩散形成硼硅玻璃层和SiO<subgt;2</subgt;层作为钝化层，省去现有工艺的氧化和钝化步骤，简化了工艺流程；选用高电阻率的硅片材料，并在电池的前表面沉积SiNx膜与SiO<subgt;2</subgt;形成叠层钝化层，可以有效的起到抗PID的效果；制备的电池开路电压和短路电流比较大，保证了背接触太阳电池较高的光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能光伏发电，尤其涉及一种用于制备背接触太阳电池的半导体硅片的制备工艺，用其制备的太阳电池的转换效率高且工艺成本低。

技术介绍

1、光伏发电系统是将太阳能直接转换成电能的发电系统，在清洁发电的同时能够兼顾经济发展和生态保护，目前广泛应用于多种多样的场景中，是替代传统化石能源的重要的清洁能源之一，具有广阔的发展前景。

2、光伏发电系统是以光伏组件为基础发电单元通过电缆线连接构成组件阵列再通过支线、母线汇流、dc/ac转换后将光伏组件产生的电能直接提供给用电负载使用或者并入电网。由于晶硅太阳电池和组件技术最为成熟，且成本较低，而且随着技术及工艺的不断改进，晶硅组件的光电转换效率也越来越高，所以在目前的光伏发电系统中，晶硅组件仍然是主要应用的组件类型。而光伏电池（或者叫太阳电池，solar cell）则是光伏组件的主要组成部分，光伏发电系统的发电效率主要由光伏电池的光电转换效率来决定，对于光伏电池来讲，提高电池的有效受光面积始终是提升光伏电池光电转换效率的重要因素之一。而背接触太阳电池由于电极结构都处于电池的背光面，向光面没有电极遮挡本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于制备背接触太阳电池的半导体硅片的制备工艺，其特征在于，所述的硅片的基底材料为电阻率在15~20Ω·cm的N型硅片，所述的制备工艺包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的一种用于制备背接触太阳电池的半导体硅片的制备工艺，其特征在于，在所述的步骤S1中，还包括在绒面结构形成后再利用臭氧水将硅片清洗的步骤。

3.如权利要求1所述的一种用于制备背接触太阳电池的半导体硅片的制备工艺，其特征在于，步骤S5中，高温氧气氛围下生长的SiO2的厚度控制在20±3nm，硼硅玻璃层的厚度控制在4-8nm。

4.如权利要求3所述的一种用于制备背接触太阳电池的半导体硅...

【技术特征摘要】

1.一种用于制备背接触太阳电池的半导体硅片的制备工艺，其特征在于，所述的硅片的基底材料为电阻率在15~20ω·cm的n型硅片，所述的制备工艺包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的一种用于制备背接触太阳电池的半导体硅片的制备工艺，其特征在于，在所述的步骤s1中，还包括在绒面结构形成后再利用臭氧水将硅片清洗的步骤。

3.如权利要求1所述的一种用于制备背接触太阳电池的半导体硅片的制备工艺，其特征在于，步骤s5中，高温氧气氛围下生长的sio2的厚度控制在20±3nm，硼硅玻璃层的厚度控制在4-8nm。

4.如权利要求3所述的一种用于制备背接触太阳电池的半导体硅片的制备工艺，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐宁，王志勇，张城玮，
申请(专利权)人：江苏伏图拉新能源集团有限公司，
类型：发明
国别省市：