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本发明公开了一种改善屏蔽栅功率半导体器件IPO的工艺方法，包括提供一外延层，形成阻挡层；形成沟槽；形成场氧化层；形成屏蔽栅多晶硅；形成光刻胶阻挡层；蚀刻所述场氧化层；去除所述光刻胶阻挡层；在所述屏蔽栅多晶硅上方形成隔离氧化层，同时蚀刻去除所...
该专利属于中晶新源（上海）半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中晶新源（上海）半导体有限公司授权不得商用。

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