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本发明属于等离子表面处理技术，尤其涉及一种真空等离子体处理装置及其控制方法，所述真空等离子体处理装置包括机架，设置于机架上的真空室以及控制组件；所述真空室设置有密封门，密封门朝向真空室的一侧设置有密封条，真空室内设置有放置架以及等离子体发生...
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