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本发明提供一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，包括栅氧层的制备工艺，具体包括：按照工业标准湿法清洗工艺对基板进行清洗；采用原子层沉积技术在完成清洗的基板上沉积一层栅氧层，所述栅氧层厚度根据设定厚度确定；进行退火处理，所述退火温度为4...
该专利属于泰科天润半导体科技（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过泰科天润半导体科技（北京）有限公司授权不得商用。

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