【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，特别涉及一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法。
技术介绍
1、由于碳化硅（sic）材料本身优异的特性，比如高临界场强、宽禁带和高热导率，使得碳化硅材料在功率器件和高温环境工作的器件中成为了一种很有吸引力的材料。碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（sic metal-oxide-semiconductor field effecttransistor，sic mosfet）作为一种高电压的第三代半导体器件，已经商业化应用。尽管sicmosfet作为一种高效的功率器件得到了很多研究和应用，但是由于该器件中关键结构栅氧层是通过高温氧化这种传统技术得到，并且sic材料中碳元素的存在，使得碳化硅/氧化硅界面存在大量与碳等相关的缺陷，导致该器件较低的沟道迁移率和较高的导通电阻，从而限制了sic mosfet的应用。
2、对于这种缺陷，行业内做了很多相关的研究。在高温氧化碳化硅形成栅氧层的过程中，由于碳化硅中碳元素和硅元素的性质不同，因此在碳化硅/氧化硅界面处就会出现大量具有不同结构和性质的缺陷，这些缺陷很...
【技术保护点】
1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括栅氧层的制备工艺，具体包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤1具体为：按照工业标准湿法清洗工艺对基板进行清洗，将完成清洗的基板置于等离子体环境中设定时间，完成基板表面的预处理。
3.根据权利要求1所述的一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述退火处理的退火温度为400℃-1300℃，退火时间为10-120分钟。
4.根据权利要求1所述的一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，其特征...
【技术特征摘要】
1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括栅氧层的制备工艺，具体包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤1具体为：按照工业标准湿法清洗工艺对基板进行清洗，将完成清洗的基板置于等离子体环境中设定时间，完成基板表面的预处理。
3.根据权利要求1所述的一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：张长沙，施广彦，黄虎，陈彤，
申请(专利权)人：泰科天润半导体科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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