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一种基于石墨烯及高导电二维材料悬浮二氧化硅质量块的跨导及电容加速度传感器及其制备方法技术
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文档序号:42119315
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本发明公开了一种基于石墨烯及高导电二维材料悬浮二氧化硅质量块的跨导及电容加速度传感器,其特征在于,悬浮二维材料及异质层的所用材料主要包括石墨烯(Graphene)、过渡金属硫化物(TMDC)、黑磷(BP)等高导电材料;悬浮高导电二维材料及异...
该专利属于北京理工大学所有,仅供学习研究参考,未经过北京理工大学授权不得商用。
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