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本发明提供了一种直拉单晶硅的拉晶工艺，包括依次进行的熔料工序‑调温工序‑熔接工序‑引晶工序‑放肩工序‑转肩工序‑等径前期工序‑等径中期工序‑等径后期工序‑收尾工序，根据生产环境和所需拉制的晶棒尺寸设定熔料阶段的起始参数，所述起始参数包括埚转...
该专利属于双良硅材料（包头）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过双良硅材料（包头）有限公司授权不得商用。

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